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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > Vishay Semiconductor(威世) > SI9976DY-E3 Datasheet 文档
SI9976DY-E3
器件3D模型
1.772
SI9976DY-E3 数据手册 (8 页)
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SI9976DY-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
封装
SOIC-14
上升/下降时间
110ns, 50ns
输出接口数
2 Output
供电电流
0.01 mA
功耗
1000 mW
上升时间
110 ns
下降时间
50 ns
下降时间(Max)
50 ns
上升时间(Max)
110 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW
电源电压
4.5V ~ 16.5V
电源电压(Min)
20 V

SI9976DY-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
8.75 mm
宽度
4 mm
高度
1.55 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)

SI9976DY-E3 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.1 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
7 页 / 0.09 MByte

SI9976 数据手册

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Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9976DY-T1-E3  芯片, MOSFET驱动器, 14SOIC
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
N通道半桥驱动器 N-Channel Half-Bridge Driver
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
N通道半桥驱动器 N-Channel Half-Bridge Driver
Vishay Semiconductor(威世)
N通道半桥驱动器 N-Channel Half-Bridge Driver
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