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SIA517DJ-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SC-70

描述:

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SIA517DJ-T1-GE3 数据手册 (14 页)

封装尺寸在12 页

SIA517DJ-T1-GE3 数据手册 (14 页)

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SIA517DJ-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SC-70

漏源极电阻

0.024 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

6.5 W

阈值电压

400 mV

漏源极电压(Vds)

12 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

6.5 W

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SIA517DJ-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

长度

2.15 mm

宽度

2.15 mm

高度

0.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SIA517DJ-T1-GE3 符合标准

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3 页 / 0.19 MByte

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