￥ 1.824

SIE818DF-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

PolarPAK-10

描述:

N通道75 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 75-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SIE818DF-T1-GE3 数据手册 (14 页)

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SIE818DF-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

10 Pin

封装

PolarPAK-10

漏源极电阻

9.5 mΩ

极性

N-CH

功耗

5.2 W

阈值电压

2.1 V

漏源极电压(Vds)

75 V

连续漏极电流(Ids)

16A

输入电容值(Ciss)

3200pF @38V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-50 ℃

耗散功率(Max)

5200 mW

SIE818DF-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

最小包装数量

3000

SIE818DF-T1-GE3 符合标准

SIE818DF-T1-GE3 数据手册

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