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SIHF15N60E
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SIHF15N60E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
漏源极电压(Vds)
600 V
输入电容值(Ciss)
1350pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
34 W

SIHF15N60E 数据手册

VISHAY(威世)
7 页 / 0.14 MByte

SIHF15N60 数据手册

VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SIHF15N60E-GE3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SIHF15N60E-E3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
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VISHAY(威世)
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