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SIHF15N60E-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220

描述:

VISHAY SIHF15N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SIHF15N60E-E3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

SIHF15N60E-E3 数据手册 (8 页)

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SIHF15N60E-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.23 Ω

极性

N-Channel

功耗

34 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

51 ns

下降时间

33 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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SIHF15N60E-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SIHF15N60E-E3 符合标准

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Vishay Semiconductor（威世）

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