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SIHF15N60E-E3
1.748
SIHF15N60E-E3 数据手册 (9 页)
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SIHF15N60E-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
280 mΩ
极性
N-Channel
功耗
34 W
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
15A
上升时间
26 ns
输入电容值(Ciss)
1350pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
180 W
下降时间
22 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
34000 mW

SIHF15N60E-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
最小包装数量
50

SIHF15N60E-E3 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.17 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 0.13 MByte

SIHF15N60 数据手册

VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SIHF15N60E-GE3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SIHF15N60E-E3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
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VISHAY(威世)
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