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SIHF15N60E-GE3
1.492
SIHF15N60E-GE3 数据手册 (9 页)
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SIHF15N60E-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
功耗
34W (Tc)
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
输入电容值(Ciss)
1350pF @100V(Vds)
耗散功率(Max)
34W (Tc)

SIHF15N60E-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SIHF15N60E-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.16 MByte
Vishay Siliconix
8 页 / 0.16 MByte
Vishay Siliconix
3 页 / 0.09 MByte

SIHF15N60 数据手册

VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SIHF15N60E-GE3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
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Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SIHF15N60E-E3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
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