￥ 1.947

SIHG14N50D-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SIHG14N50D-GE3 数据手册 (10 页)

SIHG14N50D-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

漏源极电阻

0.32 Ω

极性

N-Channel

功耗

208 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

500 V

输入电容值(Ciss)

1144pF @100V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

208W (Tc)

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SIHG14N50D-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SIHG14N50D-GE3 符合标准

SIHG14N50D-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

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