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SIHG20N50C
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SIHG20N50C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
20A

SIHG20N50C 数据手册

VISHAY(威世)
7 页 / 0.19 MByte

SIHG20N50 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SIHG20N50C-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 225 mohm, 10 V, 5 V
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SIHG20N50E-GE3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 19A, TO247AC-3
VISHAY(威世)
Vishay Intertechnology
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