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SIHG20N50E-GE3
2.155
SIHG20N50E-GE3 数据手册 (8 页)
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SIHG20N50E-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
功耗
179 W
漏源极电压(Vds)
500 V
上升时间
27 ns
输入电容值(Ciss)
1640pF @100V(Vds)
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
179W (Tc)

SIHG20N50E-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.82 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SIHG20N50E-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.17 MByte

SIHG20N50 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SIHG20N50C-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 225 mohm, 10 V, 5 V
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SIHG20N50E-GE3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 19A, TO247AC-3
VISHAY(威世)
Vishay Intertechnology
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