￥ 2.359

SIHG33N60E-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 600 V, 0.083 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SIHG33N60E-GE3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

SIHG33N60E-GE3 数据手册 (8 页)

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SIHG33N60E-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.083 Ω

极性

N-Channel

功耗

278 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

60 ns

输入电容值(Ciss)

3508pF @100V(Vds)

下降时间

54 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

278000 mW

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SIHG33N60E-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.87 mm

宽度

5.31 mm

高度

20.82 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SIHG33N60E-GE3 符合标准

SIHG33N60E-GE3 海关信息

SIHG33N60E-GE3 概述

SIHG33N60E-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.18 MByte

SIHG33N60E-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

10 页 / 0.12 MByte

SIHG33N60E-GE3 产品修订记录

VISHAY（威世）

3 页 / 0.09 MByte

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N 通道 MOSFET，带快速二极管，EF 系列，Vishay Semiconductor减少反向恢复时间、反向恢复电荷和反向恢复电流低品质因数 (FOM) 低输入电容 (Ciss) 由于低反向恢复电荷，提高了坚固性超低栅极电荷 (Qg)### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

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