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SIHG33N65EF-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 31.6 A, 650 V, 0.095 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SIHG33N65EF-GE3 数据手册 (7 页)

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SIHG33N65EF-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.095 Ω

极性

N-Channel

功耗

313 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

650 V

上升时间

56 ns

输入电容值(Ciss)

4026pF @10V(Vds)

下降时间

71 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

313000 mW

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SIHG33N65EF-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

长度

15.87 mm

宽度

5.31 mm

高度

20.82 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SIHG33N65EF-GE3 符合标准

SIHG33N65EF-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

7 页 / 0.13 MByte

SIHG33N65EF-GE3 产品设计参考手册

VISHAY（威世）

87 页 / 0.78 MByte

SIHG33N65EF-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

13 页 / 0.37 MByte

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