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SIHG33N65EF-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-247

描述:

VISHAY SIHG33N65EF-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.6 A, 650 V, 0.095 ohm, 10 V, 4 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SIHG33N65EF-GE3 数据手册 (7 页)

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SIHG33N65EF-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.095 Ω

极性

N-Channel

功耗

313 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

650 V

工作温度(Max)

150 ℃

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SIHG33N65EF-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

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SIHG33N65EF-GE3 符合标准

SIHG33N65EF-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

7 页 / 0.13 MByte

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