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SIHG33N65E-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SIHG33N65E-GE3 数据手册 (10 页)

SIHG33N65E-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.095 Ω

极性

N-Channel

功耗

313 W

阈值电压

4 V

漏源击穿电压

650 V

上升时间

56 ns

输入电容值(Ciss)

4040pF @100V(Vds)

下降时间

71 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

313W (Tc)

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SIHG33N65E-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SIHG33N65E-GE3 符合标准

SIHG33N65E-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

10 页 / 0.2 MByte

SIHG33N65E-GE3 其他数据使用手册

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