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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > SIHG47N60EF-GE3 Datasheet 文档
SIHG47N60EF-GE3
6.661

SIHG47N60EF-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
极性
N-Channel
功耗
379 W
上升时间
56 ns
输入电容值(Ciss)
5000pF @100V(Vds)
下降时间
56 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
379000 mW

SIHG47N60EF-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SIHG47N60EF-GE3 数据手册

VISHAY(威世)
10 页 / 0.22 MByte
VISHAY(威世)
15 页 / 1.76 MByte

SIHG47N60 数据手册

VISHAY(威世)
E系列功率MOSFET E Series Power MOSFET
VISHAY(威世)
N沟道 600V 47A
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SIHG47N60EF-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 47A, TO247AC-3
VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.5 V
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SIHG47N60E-GE3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.5 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SIHG47N60E-E3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.5 V
VISHAY(威世)
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