SIHG47N65E-GE3

￥ 4.481

SIHG47N65E-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SIHG47N65E-GE3 数据手册 (7 页)

SIHG47N65E-GE3 数据手册 (7 页)

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SIHG47N65E-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

漏源极电阻

72 mΩ

极性

N-CH

功耗

417 W

阈值电压

2V ~ 4V

漏源极电压(Vds)

700 V

连续漏极电流(Ids)

47A

上升时间

87 ns

输入电容值(Ciss)

5682pF @100V(Vds)

下降时间

103 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

417000 mW

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SIHG47N65E-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Bulk

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

500

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SIHG47N65E-GE3 符合标准

SIHG47N65E-GE3 数据手册

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