SIHP22N60E-E3参数_MOS管芯片中文资料_VISHAY

SIHP22N60E-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

漏源极电阻

180 mΩ

极性

N-Channel

功耗

227 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

21A

上升时间

27 ns

输入电容值(Ciss)

1920pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

227 W

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

227 W

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SIHP22N60E-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

长度

10.51 mm

宽度

4.65 mm

高度

15.49 mm

最小包装数量

50

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SIHP22N60E-E3 符合标准

SIHP22N60E-E3 概述

SIHP22N60E-E3 数据手册

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8 页 / 0.29 MByte

SIHP22N60E-E3 其他数据使用手册

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8 页 / 0.2 MByte

SIHP22N60 数据手册

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N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。它们提供各种电流额定值。典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通））超低栅极电荷 (Qg) 快速切换减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

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VISHAY SIHP22N60E-GE3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-220AB-3

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N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。它们提供各种电流额定值。典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通））超低栅极电荷 (Qg) 快速切换减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

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N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。它们提供各种电流额定值。典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通））超低栅极电荷 (Qg) 快速切换减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

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