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SIHP22N60S-E3
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SIHP22N60S-E3 数据手册 (7 页)
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SIHP22N60S-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
160 mΩ
极性
N-Channel
功耗
250 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
22.0 A

SIHP22N60S-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
最小包装数量
50

SIHP22N60S-E3 数据手册

VISHAY(威世)
7 页 / 0.14 MByte

SIHP22N60 数据手册

VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SIHP22N60E-GE3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-220AB-3
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Siliconix
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