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SIHU3N50D-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-251

描述:

D系列功率MOSFET D Series Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SIHU3N50D-E3 数据手册 (9 页)

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SIHU3N50D-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-251

漏源极电阻

2.6 Ω

极性

N-Channel

功耗

104 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

500 V

工作温度(Max)

150 ℃

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SIHU3N50D-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

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SIHU3N50D-E3 符合标准

SIHU3N50D-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.17 MByte

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