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SIHU3N50D-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-251

描述:

VISHAY SIHU3N50D-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 500 V, 2.6 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SIHU3N50D-GE3 数据手册 (7 页)

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SIHU3N50D-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2.6 Ω

极性

N-Channel

功耗

104 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

500 V

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

175pF @10V(Vds)

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

104 W

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SIHU3N50D-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Bulk

长度

6.73 mm

宽度

2.39 mm

高度

6.22 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SIHU3N50D-GE3 符合标准

SIHU3N50D-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

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