器件3D模型

￥ 0.47

SIR466DP-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

VISHAY SIR466DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SIR466DP-T1-GE3 数据手册 (13 页)

封装尺寸在7 页 8 页 9 页

SIR466DP-T1-GE3 数据手册 (13 页)

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SIR466DP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0029 Ω

极性

N-Channel

功耗

54 W

阈值电压

1.2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

40.0 A

上升时间

19 ns

输入电容值(Ciss)

2730pF @15V(Vds)

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

5 W

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SIR466DP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

长度

5.15 mm

宽度

5.89 mm

高度

1.04 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SIR466DP-T1-GE3 符合标准

SIR466DP-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

13 页 / 0.32 MByte

SIR466DP-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

13 页 / 0.33 MByte

SIR466DP-T1-GE3 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

4 页 / 0.27 MByte

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