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SIR662DP-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

PowerPAKSO-8

描述:

VISHAY SIR662DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SIR662DP-T1-GE3 数据手册 (14 页)

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SIR662DP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerPAKSO-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0022 Ω

极性

N-Channel

功耗

104 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

60 V

工作温度(Max)

150 ℃

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SIR662DP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.15 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.04 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SIR662DP-T1-GE3 符合标准

SIR662DP-T1-GE3 海关信息

SIR662DP-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

14 页 / 0.37 MByte

SIR662DP-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

13 页 / 0.37 MByte

SIR662DP-T1-GE3 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

4 页 / 0.27 MByte

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