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SIR804DP-T1-GE3
1.731
SIR804DP-T1-GE3 数据手册 (13 页)
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SIR804DP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
PowerPAK SO
漏源极电阻
0.0059 Ω
功耗
104 W
阈值电压
1.2 V
漏源极电压(Vds)
100 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SIR804DP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SIR804DP-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology
13 页 / 0.32 MByte

SIR804DPT1 数据手册

VISHAY(威世)
100V,60A,单N沟道功率MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SIR804DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 V
Vishay Intertechnology
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