器件3D模型

￥ 1.299

SIR804DP-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SO-8

描述:

100V,60A,单N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SIR804DP-T1-GE3 数据手册 (13 页)

SIR804DP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

漏源极电阻

7.2 mΩ

极性

N-CH

功耗

6.25 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

60A

输入电容值(Ciss)

2450pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

104 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

6250 mW

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SIR804DP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

2500

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SIR804DP-T1-GE3 符合标准

SIR804DP-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

13 页 / 0.37 MByte

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