SIRA96DP-T1-GE3

￥ 0.06

SIRA96DP-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

PowerPAK SO

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0073 ohm, 10 V, 2.2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SIRA96DP-T1-GE3 数据手册

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SIRA96DP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

PowerPAK SO

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0073 Ω

功耗

3.6 W

阈值电压

2.2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

输入电容值(Ciss)

1385pF @15V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3600 mW

SIRA96DP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

SIRA96DP-T1-GE3 符合标准

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