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SIS412DN-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

1212

描述:

VISHAY SIS412DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 20 mohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SIS412DN-T1-GE3 数据手册 (13 页)

封装尺寸在7 页 8 页 9 页

SIS412DN-T1-GE3 数据手册 (13 页)

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SIS412DN-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

1212

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.02 Ω

极性

N-Channel

功耗

15.6 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

输入电容值(Ciss)

435pF @15V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3200 mW

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SIS412DN-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.04 mm

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SIS412DN-T1-GE3 符合标准

SIS412DN-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

13 页 / 0.51 MByte

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