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SISS71DN-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

PowerPAK-1212-8

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -23 A, -100 V, 0.047 ohm, -10 V, -2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SISS71DN-T1-GE3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

SISS71DN-T1-GE3 数据手册 (9 页)

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SISS71DN-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

PowerPAK-1212-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.047 Ω

极性

P-Channel

功耗

4.8 W

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

1050pF @50V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-50 ℃

耗散功率(Max)

4800 mW

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SISS71DN-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

长度

3.3 mm

宽度

3.3 mm

高度

1.04 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SISS71DN-T1-GE3 符合标准

SISS71DN-T1-GE3 海关信息

SISS71DN-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

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SISS71DNT1 数据手册

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VISHAY（威世）

晶体管, MOSFET, P沟道, -23 A, -100 V, 0.047 ohm, -10 V, -2.5 V

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