SKM400GB12E4 数据手册 - Semikron（赛米控）

SEMIKRON  SKM400GB12T4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 616 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

SEMIKRON  SKM400GB12V  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 612 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

SEMIKRON  SKM400GB125D  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 400 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

IGBT 模块SEMIKRON 提供 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）模块，采用具有不同拓扑、电流和电压额定值的 SEMITRANS 和 SEMITOP 封装。 ### IGBT 模块，Semikron绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

双 IGBT 模块Semikron SEMITOP® IGBT 模块包含两个串联（半桥）IGBT 设备。该模块提供各种电压和电流额定值，且适用于各种功率切换应用，如交流变频电动机驱动器和不间断电源。紧凑型 SEMITOP® 封装 适用于高达 12kHz 的切换频率 绝缘铜基板使用直接粘结技术 ### IGBT 模块，Semikron绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。