器件3D模型

￥ 1.08

SM8S26AHE3/2D 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

TVS二极管

封装:

DO-218AB-2

描述:

ESD 抑制器/TVS 二极管 8.0W 26V 5% Unidir AEC-Q101 Qualified

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SM8S26AHE3/2D 数据手册 (5 页)

封装尺寸在4 页

典型应用电路图在1 页

SM8S26AHE3/2D 数据手册 (5 页)

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SM8S26AHE3/2D 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

2 Pin

工作电压

26 V

封装

DO-218AB-2

击穿电压

28.9 V

钳位电压

42.1 V

测试电流

5 mA

最大反向击穿电压

31.9 V

脉冲峰值功率

6600 W

最小反向击穿电压

28.9 V

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温

-55℃ ~ 175℃

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SM8S26AHE3/2D 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

13.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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SM8S26AHE3/2D 符合标准

SM8S26AHE3/2D 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

5 页 / 0.09 MByte

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