器件3D模型

￥ 0.786

SM8S30AHE3_A/I 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

电流滤波器件

封装:

DO-218AB-2

描述:

ESD 抑制器/TVS 二极管 8W,30V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SM8S30AHE3_A/I 数据手册 (5 页)

SM8S30AHE3_A/I 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

工作电压

30 V

封装

DO-218AB-2

击穿电压

36.8 V

功耗

8 W

钳位电压

48.4 V

脉冲峰值功率

6600 W

最小反向击穿电压

33.3 V

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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SM8S30AHE3_A/I 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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SM8S30AHE3_A/I 符合标准

SM8S30AHE3_A/I 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

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SM8S30AHE3 数据手册

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Vishay Semiconductor（威世）

PAR® 瞬态电压抑制器表面安装单向 6600W，SM8A 和 SM8S 系列，Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor

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