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SMLJ51CA-Q
0.217
SMLJ51CA-Q 数据手册
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SMLJ51CA-Q 技术参数、封装参数

类型
描述
工作电压
51 V
封装
DO-214AB-2
击穿电压
56.7 V
功耗
3000 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SMLJ51CA-Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

SMLJ51CA-Q 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
5 页 / 0.33 MByte
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
16 页 / 0.4 MByte

SMLJ51 数据手册

Microsemi(美高森美)
单向和双向表面贴装 UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT
Micro Commercial Components(美微科)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
MDE Semiconductor
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
ESD 抑制器/TVS 二极管 51volts 5uA 36.4 Amps Bi-Dir
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
SMLJ瞬态电压抑制二极管系列 SMLJ Transient Voltage Suppressor Diode Series
Micro Commercial Components(美微科)
双向 51V 3000W
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
单向 51V
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
ESD 抑制器/TVS 二极管 51volts 3kW 5% Bi-Dir. AEC-Q101
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
ESD 抑制器/TVS 二极管 51volts 3kW 5% Bi-Dir. AEC-Q101
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