￥ 0.03

SMUN5116DW1T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-363

描述:

双PNP偏置电阻晶体管R1 = 4.7千欧姆， R2 = ？欧姆？ Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = kOhm

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SMUN5116DW1T1G 数据手册 (6 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在5 页 6 页

SMUN5116DW1T1G 数据手册 (6 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SMUN5116DW1T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363

无卤素状态

Halogen Free

极性

PNP

功耗

0.385 W

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

160 @5mA, 10V

额定功率(Max)

187 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

385 mW

查看数据手册 >

SMUN5116DW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

查看数据手册 >

SMUN5116DW1T1G 符合标准

SMUN5116DW1T1G 海关信息

SMUN5116DW1T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.13 MByte

SMUN5116DW1T1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

20 页 / 0.18 MByte

SMUN5116DW1T1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.04 MByte

SMUN5116DW1T1 数据手册

SMUN5116DW1T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

双PNP偏置电阻晶体管R1 = 4.7千欧姆， R2 = ？欧姆？ Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = kOhm

SMUN5116DW1T1G/H 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号