器件3D模型

￥ 0.503

SP8K31TB1 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SP8K31TB1 数据手册 (5 页)

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SP8K31TB1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOIC-8

功耗

2 W

漏源极电压(Vds)

60 V

输入电容值(Ciss)

250pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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SP8K31TB1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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SP8K31TB1 符合标准

SP8K31TB1 概述

SP8K31TB1 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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