器件3D模型

￥ 1.246

SP8K32TB1 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

ROHM SP8K32TB1 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SP8K32TB1 数据手册 (4 页)

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SP8K32TB1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.046 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

4.50 A

上升时间

18 ns

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

SP8K32TB1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

SP8K32TB1 符合标准

SP8K32TB1 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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