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SP8K3TB
器件3D模型
0.578
SP8K3TB 数据手册 (4 页)
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SP8K3TB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
3.50 A
封装
SOIC-8
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
7.00 A
上升时间
10.0 ns
输入电容值(Ciss)
600pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
2 W

SP8K3TB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Discontinued at Digi-Key
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

SP8K3TB 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.05 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.14 MByte

SP8K3 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
开关( 30V , 7.0A ) Switching (30V, 7.0A)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  SP8K31FRATB  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 60 V, 0.085 ohm, 10 V, 2.5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  SP8K33FRATB  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 5 A, 60 V, 0.034 ohm, 10 V, 2.5 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  SP8K32TB1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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