器件3D模型

￥ 0.931

SP8K4FU6TB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOP-8

描述:

ROHM SP8K4FU6TB 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9 A, 30 V, 24 mohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SP8K4FU6TB 数据手册 (4 页)

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SP8K4FU6TB 数据手册 (4 页)

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SP8K4FU6TB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOP-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

24 mΩ

极性

N-Channel, Dual N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

9.00 A

输入电容值(Ciss)

1190pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

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SP8K4FU6TB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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SP8K4FU6TB 符合标准

SP8K4FU6TB 概述

SP8K4FU6TB 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.05 MByte

SP8K4FU6TB 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.19 MByte

SP8K4FU6 数据手册

SP8K4FU6TB 数据手册

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