器件3D模型

￥ 0.57

SP8M3FU6TB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOP-8

描述:

ROHM SP8M3FU6TB 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 30 V, 0.036 ohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SP8M3FU6TB 数据手册 (6 页)

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SP8M3FU6TB 数据手册 (6 页)

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SP8M3FU6TB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOP-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.036 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

2 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

4.50 A

输入电容值(Ciss)

230pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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SP8M3FU6TB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Cut Tape (CT)

长度

5 mm

宽度

4.4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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SP8M3FU6TB 符合标准

SP8M3FU6TB 概述

SP8M3FU6TB 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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