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SPB11N60S5E3045
1.325
SPB11N60S5E3045 数据手册 (11 页)
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SPB11N60S5E3045 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-263
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
11A
上升时间
35 ns
下降时间
20 ns

SPB11N60S5E3045 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SPB11N60S5E3045 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.67 MByte

SPB11N60S5 数据手册

Infineon(英飞凌)
600V,11A,N沟道功率MOSFET
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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