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SPB20N60S5XT
2.209
SPB20N60S5XT 数据手册 (11 页)
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SPB20N60S5XT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
D2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
25 ns
下降时间
30 ns

SPB20N60S5XT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SPB20N60S5XT 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.91 MByte

SPB20N60S5 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPB20N60S5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4.5 V
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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