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SPD03N50C3ATMA1
0.422
SPD03N50C3ATMA1 数据手册 (11 页)
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SPD03N50C3ATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3-1
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.25 Ω
极性
N-Channel
功耗
38 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
560 V
连续漏极电流(Ids)
3.2A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
38W (Tc)

SPD03N50C3ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Discontinued at Digi-Key
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPD03N50C3ATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.68 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 0.46 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.68 MByte

SPD03N50C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD03N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD03N50C3ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD03N50C3BTMA1, 3.2 A, Vds=560 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Infineon(英飞凌)
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