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SPD03N60C3T
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SPD03N60C3T 数据手册 (12 页)
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SPD03N60C3T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
650 V
额定电流
3.20 A
封装
TO-252
极性
N-CH
输入电容
400 pF
栅电荷
17.0 nC
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
3.20 A
上升时间
3.00 ns

SPD03N60C3T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)

SPD03N60C3T 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.28 MByte

SPD03N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD03N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD03N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD03N60C3BTMA1, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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