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SPD30N03S2L-07 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

的OptiMOS功率三极管特性增强模式的逻辑电平额定雪崩 OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPD30N03S2L-07 数据手册 (8 页)

SPD30N03S2L-07 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

30.0 A

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

136W (Tc)

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

30A

输入电容值(Ciss)

2530pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

136 W

耗散功率(Max)

136W (Tc)

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SPD30N03S2L-07 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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SPD30N03S2L-07 符合标准

SPD30N03S2L-07 概述

SPD30N03S2L-07 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.26 MByte

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