￥ 0

SPD30N03S2L07T 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPD30N03S2L07T 数据手册 (8 页)

SPD30N03S2L07T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

30.0 A

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

136W (Tc)

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

上升时间

17.0 ns

输入电容值(Ciss)

2530pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

136W (Tc)

查看数据手册 >

SPD30N03S2L07T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

SPD30N03S2L07T 符合标准

SPD30N03S2L07T 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.28 MByte

SPD30N03S2L07T 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.25 MByte

SPD30N03S2L07 数据手册

SPD30N03S2L-07 数据手册

Infineon（英飞凌）

的OptiMOS功率三极管特性增强模式的逻辑电平额定雪崩 OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

SPD30N03S2L-07G 数据手册

Infineon（英飞凌）

的OptiMOS功率三极管特性增强模式的逻辑电平额定雪崩 OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

SPD30N03S2L-07 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 30V 30A

SPD30N03S2L07T 数据手册

Infineon（英飞凌）

SPD30N03S2L07GBTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

SPD30N03S2L-07_08 数据手册

Infineon（英飞凌）

的OptiMOS功率三极管特性增强模式的逻辑电平额定雪崩 OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号