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SPI100N03S2L-03 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3-1

描述:

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPI100N03S2L-03 数据手册 (8 页)

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SPI100N03S2L-03 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-262-3-1

极性

N-CH

功耗

300W (Tc)

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

100A

输入电容值(Ciss)

8180pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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SPI100N03S2L-03 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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SPI100N03S2L-03 符合标准

SPI100N03S2L-03 概述

SPI100N03S2L-03 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.4 MByte

SPI100N03S2L-03 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.03 MByte

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