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SPP02N60C3HKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON SPP02N60C3HKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPP02N60C3HKSA1 数据手册 (12 页)

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SPP02N60C3HKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

650 V

额定电流

1.80 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2.7 Ω

极性

N-Channel

功耗

25 W

阈值电压

3 V

输入电容

200 pF

栅电荷

12.5 nC

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

1.80 A

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

200pF @25V(Vds)

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

25W (Tc)

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SPP02N60C3HKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SPP02N60C3HKSA1 符合标准

SPP02N60C3HKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.44 MByte

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12 页 / 0.37 MByte

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