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SPP11N60C2
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SPP11N60C2 数据手册 (14 页)
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SPP11N60C2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
11A

SPP11N60C2 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.18 MByte

SPP11N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP11N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 380 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP11N60C3HKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 380 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N60S5HKSA1, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
Infineon(英飞凌)
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