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SPP11N60C3X
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SPP11N60C3X 数据手册 (15 页)
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SPP11N60C3X 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
650 V
额定电流
11.0 A
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
11.0 A
上升时间
5.00 ns

SPP11N60C3X 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 1.33 MByte

SPP11N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP11N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 380 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP11N60C3HKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 380 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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