￥ 6.755

SPP11N60S5HKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N60S5HKSA1, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPP11N60S5HKSA1 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SPP11N60S5HKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

125W (Tc)

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

11A

输入电容值(Ciss)

1460pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

查看数据手册 >

SPP11N60S5HKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

8.64 mm

宽度

10.26 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

SPP11N60S5HKSA1 符合标准

SPP11N60S5HKSA1 概述

SPP11N60S5HKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.46 MByte

SPP11N60S5HKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.45 MByte

SPP11N60S5 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

SPP11N60S5 数据手册

Siemens Semiconductor（西门子）

SPP11N60S5XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

SPP11N60S5HKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N60S5HKSA1, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

SPP11N60S5XK 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号