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SPP11N65C3XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N65C3XKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPP11N65C3XKSA1 数据手册 (15 页)

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SPP11N65C3XKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

380 mΩ

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

650 V

连续漏极电流(Ids)

11A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

1200pF @25V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

33000 mW

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SPP11N65C3XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SPP11N65C3XKSA1 符合标准

SPP11N65C3XKSA1 概述

SPP11N65C3XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 0.55 MByte

SPP11N65C3XKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

SPP11N65C3XKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

38 页 / 0.73 MByte

SPP11N65C3XKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

SPP11N65C3XKSA1 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.15 MByte

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