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SPP21N50C3XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 560 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPP21N50C3XKSA1 数据手册 (14 页)

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SPP21N50C3XKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

190 mΩ

极性

N-CH

功耗

208 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

21A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

2400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

208 W

下降时间

4.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

208W (Tc)

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SPP21N50C3XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SPP21N50C3XKSA1 符合标准

SPP21N50C3XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 0.73 MByte

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